參考消息網(wǎng)11月14日?qǐng)?bào)道 韓媒稱，韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)紛紛開(kāi)始著手應(yīng)對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體追擊，試圖甩開(kāi)與中國(guó)的技術(shù)差距。韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的兩大巨頭三星電子和SK海力士接連開(kāi)始量產(chǎn)世界頂級(jí)技術(shù)的存儲(chǔ)芯片，加快擴(kuò)大與中國(guó)的技術(shù)差距。
據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》11月13日?qǐng)?bào)道，SK海力士11月12日表示，公司研發(fā)出了應(yīng)用第二代10納米級(jí)（1y）微加工技術(shù)的8Gb DDR4 DRAM。該產(chǎn)品比此前第一代（1x）的生產(chǎn)效率提高了20%，耗電率降低了15%。傳送數(shù)據(jù)時(shí)可以一次交換的信號(hào)量增加到以前的兩倍，將數(shù)據(jù)傳送速度提高到了行業(yè)最高水平。SK海力士負(fù)責(zé)D Lab市場(chǎng)推廣的金石（音）常務(wù)表示，“就好比增加高速公路收費(fèi)處的數(shù)量，車(chē)輛行駛可以更加通暢，就是這個(gè)原理”，“明年第一季度我們將陸續(xù)量產(chǎn)用于電腦和服務(wù)器的新產(chǎn)品，并將盡快推出用于手機(jī)的產(chǎn)品”。
三星電子去年11月開(kāi)始批量生產(chǎn)技術(shù)水平相仿的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），今年7月已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)應(yīng)用更先進(jìn)的第二代10納米級(jí)（1y）微加工技術(shù)的16Gb手機(jī)用DRAM。
報(bào)道稱，進(jìn)入歷史最繁榮周期的韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的最大威脅便是中國(guó)的猛烈追擊。
