報(bào)道稱，業(yè)界普遍認(rèn)為，目前中國存儲芯片的技術(shù)水平比韓國落后3-5年。雖然如此，中國的半導(dǎo)體追擊依然是引發(fā)需求激增的半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)“價(jià)格觸頂”爭議的主要原因。
報(bào)道稱，目前中國計(jì)劃批量生產(chǎn)的存儲芯片與韓國產(chǎn)品的需求層并不相同。比如說，中國YMTC（長江存儲）宣布將在明年批量生產(chǎn)的半導(dǎo)體屬于32層3D Nand閃存，這是三星電子和SK海力士從2014年開始批量生產(chǎn)的產(chǎn)品，目前兩家企業(yè)基本已經(jīng)不再生產(chǎn)這種產(chǎn)品。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的主力產(chǎn)品是64-72層3D Nand閃存，與中國企業(yè)拉開了巨大的技術(shù)差距。Nand閃存用來增加電路的“層數(shù)”越多，就需要越高的技術(shù)水平，即使同樣“層數(shù)”的產(chǎn)品，也根據(jù)技術(shù)水平分為多個(gè)級別。三星電子2012年推出20納米級（2y）DRAM產(chǎn)品后，直到5年后的2017年11月才開始批量生產(chǎn)下一級別的第二代10納米級DRAM產(chǎn)品。
在Nand閃存領(lǐng)域，三星電子已經(jīng)開始為批量生產(chǎn)第六代（120層以上）產(chǎn)品做準(zhǔn)備。
不過，雖然目前還擁有巨大的技術(shù)差距，但韓國半導(dǎo)體行業(yè)一致認(rèn)為，中國的技術(shù)發(fā)展速度對韓國半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了巨大威脅。報(bào)道認(rèn)為，如果中國正式開始大批量供應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)品，半導(dǎo)體的價(jià)格必然會出現(xiàn)下降。全球市場研究公司DRAMeXchange預(yù)計(jì)，明年DRAM的價(jià)格將比今年下降15%-20%，Nand閃存的價(jià)格將會下降25%-30%之多。漢陽大學(xué)融合電子工程系樸在勤教授表示，“雖然需求群體并不相同，但由于心理因素等的影響，價(jià)格下滑將不可避免”。
