報(bào)道稱,現(xiàn)在三星電子已經(jīng)開始引進(jìn)生產(chǎn)10納米級以下新一代DRAM的極紫外光刻(EUV)生產(chǎn)線,SK海力士也將在年底開始量產(chǎn)96層4D Nand閃存半導(dǎo)體。三星電子存儲芯片事業(yè)部負(fù)責(zé)營銷的專務(wù)全世元(音)表示,“我們將擴(kuò)大高端DRAM生產(chǎn)線,持續(xù)主導(dǎo)超高速、大容量、超省電的存儲芯片發(fā)展趨勢”。

資料圖:韓國海力士半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的高速存儲器。(新華社/法新)
