據(jù)臺灣媒體《工商時報》報道，臺積電21日發(fā)布2019度年報，在先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝等技術(shù)研發(fā)上已有明顯突破。臺積電今年除了5奈米進(jìn)入量產(chǎn)、3奈米持續(xù)研發(fā)外，今年會加快2奈米研發(fā)速度。另外，臺積電看好整合型扇出（InFO）等先進(jìn)封裝保持強(qiáng)勁成長，今年投入包括系統(tǒng)整合芯片（SoIC）等3D先進(jìn)封裝技術(shù)開發(fā)，以提供業(yè)界系統(tǒng)級解決方案。

　　臺積電去年5奈米制程（N5）進(jìn)入試產(chǎn)并在今年進(jìn)入量產(chǎn)，可望拓展客戶的產(chǎn)品組合，并且隨著客戶尋求建立其產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)地位時擴(kuò)大潛在市場。

　　臺積電在年報中指出，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逼近硅晶的物理極限，N5制程仍遵循摩爾定律，3奈米（N3）制程技術(shù)大幅提升芯片密度及降低功耗并維持相同的芯片效能，去年的研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、晶體管及導(dǎo)線效能改善以及可靠性評估，今年將持續(xù)進(jìn)行N3制程技術(shù)的全面開發(fā)。

　　臺積電去年領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行2奈米（N2）制程技術(shù)的研發(fā)，在關(guān)鍵的微影技術(shù)上開始進(jìn)行N2以下技術(shù)開發(fā)的先期準(zhǔn)備。年報中指出，N5技術(shù)已經(jīng)順利移轉(zhuǎn)，針對N3技術(shù)的開發(fā)，EUV微影技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力與符合預(yù)期的芯片良率。臺積電今年將在N2及更先進(jìn)制程上將著重于改善EUV技術(shù)的質(zhì)量與成本。

　　臺積電藉由無縫整合的前段晶圓制程與后段芯片封裝，提供先進(jìn)封裝解決方案，實(shí)現(xiàn)了晶圓級制程的系統(tǒng)整合，去年推出第五代InFO解決方案支持行動裝置及高效能運(yùn)算產(chǎn)品，CoWoS（基板上晶圓上芯片封裝）技術(shù)持續(xù)更大尺寸中介層的異質(zhì)整合。臺積電開發(fā)SoIC先進(jìn)封裝技術(shù)，是領(lǐng)先業(yè)界的3D芯片堆棧解決方案，能夠整合多個非常鄰近的芯片并提供最佳的系統(tǒng)效能。

　　臺積電董事長劉德音及總裁魏哲家在致股東報告書中指出，今年國際間貿(mào)易緊張局勢造成總體經(jīng)濟(jì)的不確定性持續(xù)存在，臺積電將保持靈活的應(yīng)變能力，致力于業(yè)務(wù)的基本體質(zhì)，進(jìn)一步加速技術(shù)的差異化。臺積電是“大家的晶圓技術(shù)產(chǎn)能提供者”（everyones　foundry），公平且公正的對待所有客戶，會盡全力保護(hù)智慧財產(chǎn)，秉持最高的誠信正直原則經(jīng)營業(yè)務(wù)，并且堅守技術(shù)領(lǐng)先、卓越制造、客戶信任的三位一體競爭優(yōu)勢。